ИЗЛУЧЕНИЕ КОЛЕБЛЮЩЕЙСЯ ДИСЛОКАЦИИ В ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНОМ КРИСТАЛЛЕ

Как известно, движение дислокаций в кристаллах сопровождается излучением электромагнитных и акустических волн. Излучение электромагнитного и акустического излучения, деформируемого кристалла, в ряде случаев позволяет сделать важные выводы о динамике дефектов кристаллической структуры.

Различные механизмы возникновения электромагнитного излучения были рассмотрены в работах [1,2]. В работе [3] было рассмотрено переходное излучение при прохождении заряженной краевой дислокацией границы раздела между областями щелочногалоидного кристалл (ЩГК) с различными диэлектрическими проницаемостями. Было получено выражение для полной энергии излучения деформируемого кристалла.

Оценки показали, что на расстоянии порядка сантиметра от оси дислокации напряженность электрического поля в электромагнитной волне, излучаемой дислокацией E~10 мкВ/м, что сравнимо с результатом работы [2].

В ЩГК заряженная краевая дислокация окружена экранирующим облаком точечных дефектов. Под влиянием внешних механических и электрических сил, приложенных к кристаллу, происходит смещение дислокации относительно облака.

В работах [4,5] были рассчитаны дипольный момент кристалла и разность потенциалов, возникающая между гранями кристалла, в случае дислокационного аналога эффекта Холла, и эффекта Нернста - Эттингсхаузена.

Настоящая работа посвящена исследованию излучению колебаний заряженных дислокаций в ЩГК. В работе получены выражения для интенсивности излучения в случаях, когда к кристаллу приложены внешнее электрическое поле или механическое напряжение, при наличии в кристалле одного и двух типов подвижных точечных дефектов.

Рассмотрим ЩГК, в котором заряженная дислокация, окружена облаком точечных дефектов, ориентирована вдоль оси Y и колеблется под действием внешнего переменного механического напряжения или электрического поля вдоль оси X.

Таким образом, дипольный момент системы дислокации - облако изменяется с течением времени ~ eiwt.

Будем рассматривать излучение кристалла с дислокациями на больших расстояниях от кристалла (в волновой зоне), тогда для дипольного излучения справедливы соотношения [6]: